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009 燃烧-氧化法生长纳米结构氧化锌的反应器技术
[摘要] 本技术提供了一种通过双层套管结构管式炉，运用燃烧—氧化方法合成氧化锌。其结构由外管、内管或石英舟、及水平管式炉构成的双层套管结构的反应器，工作原理是，利用双层套管结构，在向外拉动内管过程中产生空气流，能够补充反应过程中所需要的氧气，通过控制拉动内管的速度来控制反应过程中的氧气量。该工艺过程中未使用任何催化剂及添加剂，无污染、属于绿色环保工艺，此外本技术工艺的优点是工艺简便，成本较低，可以得到了不同形貌的氧化锌纳米结构。
021 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法
[摘要] 本技术涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端，ZnO粉放置在内管的另一端，同时放入少量的高纯碳粉，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行ZnO单晶生长。
038 一种单晶硅生长炉
[摘要] 本技术提供了一种单晶硅生长炉，包括主炉室、副炉室和引晶装置，主炉室和副炉室之间设有翻盖阀门，其特征在于：所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。该单晶硅生长炉可以在保持单晶炉处于高温状态时重复加料，完成多根单晶生产，既节省了与单晶炉配套的石英坩锅用量、又节约了能耗。
023 一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置
[摘要] 本技术涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本技术采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10-1
029 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
[摘要] 一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤：步骤1：将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶；步骤2：将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2
033 生长砷化镓单晶的温控炉
019 精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置及方法
026 一种碲化锌单晶生长技术
025 一种碲化锌单晶生长技术
004 一种空间晶体生长炉
006 掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法
007 晶体的可化小角度倾斜温梯冷凝生长装置及其生长方法
003 水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法
015 一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法
038 一种单晶硅生长炉
017 一种碳纳米管阵列的生长装置
039 一种用于观察重掺单晶生长的窗玻璃
002 一种改进的生长掺杂硅单晶体的方法及其装置
027 在还原性气氛中感应加热提拉生长晶体的方法
010 一种离子注入表面改性控制碳纳米管生长的方法
001 磁性半导体 半导体异质液相外延生长方法
031 一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该晶体的生长方法
028 带水冷夹套的直拉式硅单晶生长炉
020 晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法与装置
034 晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置
030 CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺
032 一种用于单晶生长的硒化锌多晶材料的制备方法
036 一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置
018 BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法
024 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
035 一种直拉硅单晶生长的热场结构
022 一种生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法
012 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法
008 利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法
014 一种碳纳米管阵列的生长方法
013 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
016 用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备
005 直拉法生长掺镓硅单晶的装置
011 一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法
以上39项技术包括在一张光盘内
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