热阻测试仪
易恩电气，致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子相关的大功率分立器件测试仪、IGBT测试仪、变流器IGBT测试仪，牵引系统IGBT测试仪，半导体参数图示仪、IGBT动态参数测试仪、MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪等功率半导体测试设备.
一、原厂介绍及用途：
热阻测试仪设备型号：Phase11,生产厂家：美国 Analysis Tech Inc(简称：Anatech)公司，设备符合 美军标和 JEDEC 标准. Analysis Tech Inc.成立于 1983 年，坐落于波士顿北部，是电子封装器件可靠 性测试的国际设计，制造公司。创始人 John W.Sofia 是美国麻省理工的博士，并且是提出焊点可靠 性,热阻分析和热导率理论的专家. 发表了很多关于热阻测试于分析，热导率及焊点可靠性方面的论文. Analysis Tech Inc.在美国有独立的实验室提供技术支持. 在全世界热阻测试仪这套设备有几百家知名客户.
主要用于测试二极管，三极管，线形调压器，可控硅，LED，MOSFET，MESFET ,IGBT，IC 等
分立功率器件的热阻测试及分析。
二、Phase11 的功能：
PHASE11 可以测试 Rja，Rjc，Rjb Rjl 的热阻（测试原理符合 JEDEC51-1 定义的动态及静态测试 方法）
图 一
Phase11 测试来的数据，将产生上图。左上角的数字说明这个器件有四个层次（为了可以清楚的了 解不同层次，可以将这个图转换成图三）。其中第一个是芯片下的粘接层的阻抗值，后面 Tau 是完成
的测试时间，四个层次的阻抗值之和就是这个器件的热阻值。并且每一个拐点都表明热进入了一个新的层次。每个层次的数据将表明这个器件不同层向外散热的好坏，对不同厂家同类产品而言，可以让 我们选择热阻值非常好的厂家；同时它也可以检测同一厂家，同类产品，不同批次质量的差异，从而 评测出该厂家生产工艺的稳定性。
1） 瞬态阻抗(Thermal Impedance)测试，可以得到从开始加热到结温达到稳定这一过程中的瞬态阻抗
数据。见上图
2） 稳态热阻(Thermal Resistance)各项参数的测试，其包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 当器件在给一定的工 作电流后。热量不断地向外扩散，最后达到了热平衡，这时得到的结果是稳态热阻值。在没有达到热平衡之前测试到的是热阻抗。
3） 可以得到用不同占空比方波测试时的阻抗与热阻值。
图 二
4） 内部封装结构与其散热能力的相关性分析(Structure Function)，可以通过将类似的图一转换成下面所 示的曲线分析图（热容与热阻关系图），这样更能体现不同结构下热阻，以 LED 为例从图中可以看出 LED 器件散热能力的瓶颈所在，对 LED 封装工艺的改进和封装材料的选择有很大帮助。下图为两种不 同封装结构的 LED 样品的分析图。
不只 LED 器件可以得到这个分析图，而且其他的器件也可以得到这个图。并且也可以得到这种分析。
图 三
从图中可以看出黑色曲线的 LED 热阻低于绿色曲线的 LED 热阻，这也从客户那里得到确认，黑色 曲线的LED 在芯片粘接与散热方面的工艺得到很大改进。
5） 装片质量的分析(Die Attachment Quality Evaluation).
主要测试器件的粘接处的热阻抗值，如果有粘接层有气孔，那么传热就要受阻，这样将导致芯片的温 度上升，因此这个功能能够衡量粘接工艺的稳定性。
图 四
6.多晶片器件的测试。
以两个晶片为例：先给其中的晶片 1 加电使其节温升高然后测试出热阻 R11 和功率 Q1 同时给另一晶片2 供感应电流然后测出感应热阻 R21.再给晶片 2 加电使其节温升高然后测试出热阻 R22 节温和功率 Q2, 同时给另一晶片 1 供感应电流然后测出感应热阻 R12。
根据热阻的定义
R=(Tj-Tr)/P 即 R=△T/P
根据上述测试数据做矩阵
△ T1=R11xQ1 R12xQ2 △T2=R21xQ1 R22xQ2
此双晶片模块的热阻 R=〔△T1 △T2〕/2*〔Q1 Q2〕
两个晶片以上的模块测试方法和上述方法相同
7.SOA Test
8.浪涌测试